世界的に定評のあるFundamentals of Modern VLSI Devicesの第3版の翻訳書．改訂にあたっては，全体の構成も見直し，学びやすいように順序立てを行っている．さらに，高誘電率 (high-κ) ゲート絶縁膜，メタルゲート技術，ひずみシリコン移動度，MOSFETの非GCAモデリング，短チャネルFinFET，およびSOI上の対称横型バイポーラトランジスタといった話題が新たに追加されている．電子デバイスの開発や研究に携わる技術者，研究者，学生に向けた座右の書．