現在、パワーデバイスを含めた我が国のパワーエレクトロニクス産業は、グローバル市場において依然として高い競争力を有している。そして、この分野へのニーズは、上記背景から、将来さらに高まっていくと考えられる。本書はこの視点に立ち、電気エネルギーの一層の有効利用実現に欠かすことのできないパワーデバイスについて、その基本構造から動作、作成プロセス、さらにはデバイス最新技術がわかりやすく記載されている。 第1章　車載用パワーエレクトロニクス・パワーデバイス 1.1　はじめに 1.2　電圧型インバータと電流型インバータ 1.3　パワーデバイスの役割 1.4　パワーデバイスの種類 1.5　MOSFET・IGBTの台頭 1.6　最近のパワーデバイス技術動向 1.7　車載用パワーデバイス 1.8　車載用パワーデバイスの種類 第2章　シリコンMOSFET 2.1　はじめに 2.2　パワーMOSFET 2.2.1　基本セル構造 2.2.2　パワーMOSFET作成プロセス 2.2.3　MOS構造の簡単な基礎理論 2.2.4　ノーマリーオン特性とノーマリーオフ特性 2.2.5　電流ー電圧特性 2.2.6　ソース・ドレイン間の耐圧特性 2.2.7　パワーMOSFETのオン抵抗 2.2.8　パワーMOSFETのスイッチング特性 2.2.9　トレンチゲートパワーMOSFET 2.2.10　最先端シリコンパワーMOSFET 2.2.11　MOSFET内蔵ダイオード 2.2.12　周辺耐圧構造 第3章　シリコンIGBT 3.1　はじめに 3.2　基本セル構造 3.3　IGBTの誕生 3.4　電流ー電圧特性 3.5　コレクターエミッタ間の耐圧特性 3.6　IGBTのスイッチング特性 3.7　IGBTの破壊耐量（安全動作領域） 3.8　IGBTのセル構造 3.9　IGBTセル構造の進展 3.10　IGBT実装技術 3.11　最新のIGBT技術 3.12　今後の展望 第4章　シリコンダイオード 4.1　はじめに 4.2　ダイオードの電流ー電圧特性、逆回復特性 4.3　ユニポーラ型ダイオード 4.3.1　ショットキーバリアダイオード（SBD） 4.4　バイポーラ型ダイオード 4.4.1　pinダイオード 4.4.2　SSDダイオードとMPSダイオード 第5章　SiCパワーデバイス 5.1　はじめに 5.2　結晶成長とウェハ加工プロセス 5.3　SiCユニポーラデバイスとSiCバイポーラデバイス 5.4　SiCダイオード 5.4.1　SiC-JBSダイオード 5.4.2　SiC-JBS作成プロセス 5.4.3　SiC-JBSダイオードの周辺耐圧構造 5.4.4　SiC-JBSダイオードの破壊耐量 5.4.5　シリコンIGBTとSiC-JBSダイオードのハイブリッドモジュール 5.4.6　SiC pinダイオードの順方向劣化 5.5　SiC-MOSFET 5.5.1　SiC-MOSFET作成プロセス 5.5.2　ソース・ドレイン間の耐圧設計 5.5.3　プレーナーMOSFETのセル設計 5.5.4　SiCトレンチMOSFET 5.5.5　SiCトレンチMOSFET作成プロセス 5.5.6　SiC-MOSFETの破壊耐量解析 5.6　最新のSiC-MOSFET技術 5.6.1　SiC superjunction MOSFET 5.6.2　新構造MOSFET 5.7　SiCデバイスの実装技術