本書は、半導体デバイスにおいて最も重要な技術の一つである不純物ドーピングにおける基本的な課題や学術的疑問点を取り上げ、それらを物理的な観点から理解を深めることを目的としています。シリコンナノエレクトロニクスおよびシリコンパワー半導体技術の両方に対して、ドーピングに伴って起こるさまざまな現象の物理的理解に関する議論と、さらにその理解に基づいて課題をどのように克服するかという技術展開を詳述しています。 第1部 ドーピングの基礎 第1章 シリコン中の1×10^10から1×10^20cm^-3にわたる濃度範囲のドーパント不純物のフォトルミネッセンス評価 第2章 シリコン基板中のドーパントとその制御 第3章 シリコン中の不純物原子の活性化とそのからくり 第4章 ドーパントによる電子準位とドーパント拡散のミクロな機構：計算科学によるアプローチ 第5章 放射光を用いた光電子ホログラフィーによるシリコン中の高濃度ドーパントクラスターの3次元原子配列構造解析 第2部 ナノシリコンデバイス 第6章 シリコンデバイスへのドーピング技術の事共 第7章 シリコンナノ結晶への不純物ドーピング 第8章 IV族半導体ナノワイヤへの不純物ドーピングと評価 第9章 シリコンへの高濃度ドーピングにおける活性化と不活性化 第3部 パワー半導体 第10章 パワー半導体とドーピング技術 第11章 パワー半導体用シリコンウェーハにむけた中性子核変換ドーピングの現状と今後の展開 第12章 パワー半導体における宇宙線照射による故障のTCADを用いた解析 第13章 300mmSi-IGBT時代へ向けた不純物ドーピング制御の物理的課題と技術的挑戦