「はじめての半導体ドライエッチング技術」 が出版 されてから 8年以上経過しましたが、半導体 の微細化・高集積化の進展は留まるところを知らず、次々新しい技術が出現しています。本書は、アトミックレイヤーエッチング（ALE）など新しい技術の解説や、ドライエッチング技術の今後の課題・展望についてなど、旧版に大幅に加筆訂正を行いました。 1 章　半導体集積回路の発展とドライエッチング技術 1.1　ドライエッチングの概要 1.2　ドライエッチングにおける評価パラメータ 1.3　LSI の高集積化にドライエッチング技術が果たす役割 2 章　ドライエッチングのメカニズム 2.1　プラズマの基礎 2.2　イオンシースおよびイオンシース内でのイオンの挙動 2.3　エッチングプロセスの組み立て方 3 章　各種材料のエッチング 3.1　ゲートエッチング 3.2　SiO2 エッチング 3.3　配線エッチング 3.4　まとめ 4 章　ドライエッチング装置 4.1　ドライエッチング装置の歴史 4.2　バレル型プラズマエッチャー 4.3　CCP プラズマエッチャー 4.4　マグネトロンRIE 4.5　ECR プラズマエッチャー 4.6　ICP プラズマエッチャー 4.7　ドライエッチング装置の実例 4.8　静電チャック 5 章　ドライエッチングダメージ 5.1　Si 表層部に導入されるダメージ 5.2　チャージアップダメージ 6 章　新しいエッチング技術 6.1　Cu ダマシンエッチング 6.2　Low-k エッチング 6.3　ポーラスLow-k を用いたダマシン配線 6.4　メタルゲート/High-k エッチング 6.5　FinFET エッチング 6.6　マルチパターニング 6.7　3D NAND/DRAM 用高アスペクト比ホールエッチング 6.8　3D IC 用エッチング技術 7 章　アトミックレイヤーエッチング（ALE） 7.1　ALE の原理 7.2　ALE の特性 7.3　ALE シナジー 7.4　EPC およびスパッタ閾値を支配するパラメータ 7.5　SiO2 ALE 7.6　まとめ 8 章　ドライエッチング技術の今後の課題と展望 8.1　ドライエッチングにおける技術革新 8.2　今後の課題と展望 8.3　エンジニアとしての心構え ※上記の「SiO2」の「2」は下付きです。