インターネットやIT技術の根幹をなしているのが半導体であり、その製造段階では極めて精密な製造プロセスの制御により、高均一で高品質の製品が製造されるようになってきている。このような高精度製造技術は液体や気体をコントロールすることにより、薄い膜を板状の半導体に作成することで実現する。本書では結晶成長を流れの視点から見て、重要な現象や非線形現象ゆえに必要な数値計算法についてわかりやすく解説する。また、最近注目を浴びているシミュレーション技術についても基礎から丁寧に記述している。 1. 結晶成長と界面のダイナミクス 1.1　不純物分布と流れ 1.2　磁場による流れ制御と不純物分布 2. 結晶成長と思考した流れの解析の基礎 2.1　流れの解析とは 2.2　気相成長における流れの基礎 2.3　パソコンでできる数値解析法 2.4　対流の種類 2.5　電磁場と流れ 3. 単結晶成長における流れ解析からのアプローチ 3.1　結晶成長における流れの可視化 3.2　CCDビデオカメラによる可視化 3.3　数値シミュレーション 3.4　CZ-Si成長における酸素の流れ 3.5　シリコン融液におけるマランゴニ対流 3.6　磁場と単結晶 3.7　簡単なCVD装置内の流れと成膜特性