「はじめての半導体ドライエッチング技術」 が出版 されてから 8年以上経過しましたが、半導体 の微細化・高集積化の進展は留まるところを知らず、次々新しい技術が出現しています。本書は、アトミックレイヤーエッチング（ALE）など新しい技術の解説や、ドライエッチング技術の今後の課題・展望についてなど、旧版に大幅に加筆訂正を行いました。
1 章 半導体集積回路の発展とドライエッチング技術
1.1 ドライエッチングの概要
1.2 ドライエッチングにおける評価パラメータ
1.3 LSI の高集積化にドライエッチング技術が果たす役割
2 章 ドライエッチングのメカニズム
2.1 プラズマの基礎
2.2 イオンシースおよびイオンシース内でのイオンの挙動
2.3 エッチングプロセスの組み立て方
3 章 各種材料のエッチング
3.1 ゲートエッチング
3.2 SiO2 エッチング
3.3 配線エッチング
3.4 まとめ
4 章 ドライエッチング装置
4.1 ドライエッチング装置の歴史
4.2 バレル型プラズマエッチャー
4.3 CCP プラズマエッチャー
4.4 マグネトロンRIE
4.5 ECR プラズマエッチャー
4.6 ICP プラズマエッチャー
4.7 ドライエッチング装置の実例
4.8 静電チャック
5 章 ドライエッチングダメージ
5.1 Si 表層部に導入されるダメージ
5.2 チャージアップダメージ
6 章 新しいエッチング技術
6.1 Cu ダマシンエッチング
6.2 Low-k エッチング
6.3 ポーラスLow-k を用いたダマシン配線
6.4 メタルゲート/High-k エッチング
6.5 FinFET エッチング
6.6 マルチパターニング
6.7 3D NAND/DRAM 用高アスペクト比ホールエッチング
6.8 3D IC 用エッチング技術
7 章 アトミックレイヤーエッチング（ALE）
7.1 ALE の原理
7.2 ALE の特性
7.3 ALE シナジー
7.4 EPC およびスパッタ閾値を支配するパラメータ
7.5 SiO2 ALE
7.6 まとめ
8 章 ドライエッチング技術の今後の課題と展望
8.1 ドライエッチングにおける技術革新
8.2 今後の課題と展望
8.3 エンジニアとしての心構え
※上記の「SiO2」の「2」は下付きです。
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